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大连氮化镓单晶基片

  • 产品名称: 大连氮化镓单晶基片
  • 产品分类: 氮化镓单晶基片
  • 公司名称: 好运彩票代理
  • 添加时间: 18/01/30
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性能:

氮化镓作为第三代半导体,也被诺贝尔物理学获奖者中村修二称之为“终极衬底”,其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,使得它成为迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,并可以成为制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件的关键基础材料。

指标:

2英寸直径蓝宝石衬底外延GaN厚膜

厚度: 10~50µm(蓝宝石衬底外延GaN)

位错密度:小于1×107 cm-2

TTV:≦ 10 µm

BOW:≦ 15 µm

•自支撑GaN单晶衬底

厚度: 400.0μm ±30.0μm,300μm ±30.0  μm,

位错密度:小于5×106 cm-2

TTV:≦ 10 µm

BOW:≦ 15 µm

粗糙度:Ra≤0.2 nm


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点击次数:   更新时间:18/01/30 11:04:01   【打印此页】   【关闭

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